למבקרים באלקטרוניקה 2024

הזמינו את זמנכם עכשיו!

כל מה שנדרש זה כמה לחיצות כדי להזמין את מקומך ולקבל את כרטיס התא

אולם C5 BOOTH 220

רישום מראש

למבקרים באלקטרוניקה 2024
כולכם נרשמים! תודה שעשית פגישה!
אנו נשלח לך את כרטיסי Booth באמצעות דואר אלקטרוני לאחר שנאמת את ההזמנה שלך.
בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > DMN10H099SFG-13
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
119837תמונה DMN10H099SFG-13.Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
3000+
$0.303
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    DMN10H099SFG-13
  • יצרן / מותג
    Diodes Incorporated
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N-CH 100V 4.2A
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    DMN10H099SFG-13.pdf
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    PowerDI3333-8
  • סִדרָה
    -
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    80 mOhm @ 3.3A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    980mW (Ta)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    8-PowerWDFN
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    32 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    1172pF @ 50V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    6V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    100V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 100V 4.2A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    4.2A (Ta)

איום התעריף של טראמפ, NVIDIA, ספקים ...

2024/11/28

אינטל תקבל סובסידיות של 7.86 מיליא...

2024/11/27

AMD משיקה את בניית השלב השני של מר...

2024/11/26

בכרטיס הגרפי של NVIDIA RTX 5090 יש שטח GP...

2024/11/25

אנתרופיה מקבלת השקעה נוספת של 4 מ...

2024/11/23

חצי: מכירות IC גדלות ב -12% ברבעון...

2024/11/22

דווח כי Kioxia יקבל אישור רישום ב- 22 ...

2024/11/21

הפלטפורמה האופטית האחרונה של סי...

2024/11/20

התעשייה מתאוששת לאט.הספק האפיטק...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

ספק: מספר גדול של רכיבי GPU בסדרת RT...

2024/11/18
משלוח
תַשְׁלוּם
להלן מוצרים קשורים "DMN10H099SFG-13".
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

תאור: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

תאור: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

תאור: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1033UCB4-7

DMN1033UCB4-7

תאור: MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

תאור: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

תאור: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

תאור: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

תאור: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

תאור: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

תאור: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

תאור: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

תאור: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

תאור: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

תאור: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

תאור: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

היצרנים: Diodes Incorporated
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.