בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SI4162DY-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
1504991

SI4162DY-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1+
$0.467
10+
$0.417
30+
$0.392
100+
$0.368
500+
$0.319
1000+
$0.312
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI4162DY-T1-GE3
  • יצרן / מותג
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SI4162DY-T1-GE3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    8-SO
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    7.9 mOhm @ 20A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • אריזה
    Original-Reel®
  • אריזה / מארז
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • שמות אחרים
    SI4162DY-T1-GE3DKR
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    27 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    1155pF @ 15V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    30nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    4.5V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    30V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 30V 19.3A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    19.3A (Tc)

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

2025/05/8

ייצור השבבים ההודי סובל מכסולים!...

2025/05/7

PCIM Europe 2025 Highlights

2025/05/7

עסק ה- OEM של סמסונג נפגע שוב, AMD מו...

2025/05/6

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

2025/05/5

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

2025/04/30

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

2025/04/29

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

2025/04/28

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

2025/04/28

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

2025/04/25

ביקוש חזק לשבבים אנלוגיים, מכשיר...

2025/04/24
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SI4162DY-T1-GE3".
SI4136DY-T1-GE3

SI4136DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4136-F-GMR

SI4136-F-GMR

תאור: IC SYNTHESIZER RF1/RF2/IF 28MLP

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
RFQ
SI4154DY-T1-GE3

SI4154DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 40V 36A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4170DY-T1-GE3

SI4170DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4143DY-T1-GE3

SI4143DY-T1-GE3

תאור: MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4160DY-T1-GE3

SI4160DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4164DY-T1-GE3

SI4164DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4156DY-T1-GE3

SI4156DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4168DY-T1-GE3

SI4168DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4136-F-GT

SI4136-F-GT

תאור: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
RFQ
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4136M-EVB

SI4136M-EVB

תאור: BOARD EVALUATION FOR SI4136

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
RFQ
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4158DY-T1-GE3

SI4158DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 20V 36.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4136-F-GTR

SI4136-F-GTR

תאור: IC WLAN SAT RADIO 24TSSOP

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.