בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SISA66DN-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
3797592תמונה SISA66DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SISA66DN-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
6000+
$0.434
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SISA66DN-T1-GE3
  • יצרן / מותג
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
  • גיליונות נתונים
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    2.2V @ 1mA
  • Vgs (מקס ')
    +20V, -16V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    PowerPAK® 1212-8
  • סִדרָה
    TrenchFET® Gen IV
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    2.3 mOhm @ 15A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    52W (Tc)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    PowerPAK® 1212-8
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    32 Weeks
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    3014pF @ 15V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    66nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    4.5V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    30V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 30V 40A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    40A (Tc)
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISC185N06LX1SA1

SISC185N06LX1SA1

תאור: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISA16DN-T1-GE3

SISA16DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA18ADN-T1-GE3

SISA18ADN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA24DN-T1-GE3

SISA24DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA72DN-T1-GE3

SISA72DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISC624P06X3MA1

SISC624P06X3MA1

תאור: SMALL SIGNAL+P-CH

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISC262SN06LX1SA1

SISC262SN06LX1SA1

תאור: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISC050N10DX1SA1

SISC050N10DX1SA1

תאור: MOSFET N-CHAN SAWED WAFER

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA96DN-T1-GE3

SISA96DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA26DN-T1-GE3

SISA26DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISC29N20DX1SA1

SISC29N20DX1SA1

תאור: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISC06DN-T1-GE3

SISC06DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SISC097N24DX1SA1

SISC097N24DX1SA1

תאור: TRANSISTOR P-CH BARE DIE

היצרנים: International Rectifier (Infineon Technologies)
במלאי
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי

Review (1)

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת