למבקרים באלקטרוניקה 2024

הזמינו את זמנכם עכשיו!

כל מה שנדרש זה כמה לחיצות כדי להזמין את מקומך ולקבל את כרטיס התא

אולם C5 BOOTH 220

רישום מראש

למבקרים באלקטרוניקה 2024
כולכם נרשמים! תודה שעשית פגישה!
אנו נשלח לך את כרטיסי Booth באמצעות דואר אלקטרוני לאחר שנאמת את ההזמנה שלך.
בית > מוצרים > מעגלים משולבים (IC) > זיכרון > MT47H128M4B6-3:D TR
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
6717029תמונה MT47H128M4B6-3:D TR.Micron Technology

MT47H128M4B6-3:D TR

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1000+
$12.523
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    MT47H128M4B6-3:D TR
  • יצרן / מותג
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
  • כתוב זמן מחזור - Word, דף
    15ns
  • אספקת מתח
    1.7 V ~ 1.9 V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    SDRAM - DDR2
  • מארז התקן של הספק
    60-FBGA
  • סִדרָה
    -
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    60-FBGA
  • שמות אחרים
    557-1291-2
    MT47H128M4B6-3:D TR-ND
  • טמפרטורת פעולה
    0°C ~ 85°C (TC)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    3 (168 Hours)
  • סוג זיכרון
    Volatile
  • גודל זיכרון
    512Mb (128M x 4)
  • ממשק זיכרון
    Parallel
  • פורמט זיכרון
    DRAM
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • תיאור מפורט
    SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb (128M x 4) Parallel 333MHz 450ps 60-FBGA
  • תדר השעון
    333MHz
  • מספר חלק בסיס
    MT47H128M4
  • זמן גישה
    450ps
MT47H128M4CB-3:B TR

MT47H128M4CB-3:B TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E:C TR

MT47H128M16RT-25E:C TR

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E IT:C TR

MT47H128M16RT-25E IT:C TR

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4B6-25E:D TR

MT47H128M4B6-25E:D TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4BT-37E:A TR

MT47H128M4BT-37E:A TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4B6-25:D TR

MT47H128M4B6-25:D TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-3:C

MT47H128M16RT-3:C

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E XIT:C

MT47H128M16RT-25E XIT:C

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CF-187E:G

MT47H128M4CF-187E:G

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CF-25E:G

MT47H128M4CF-25E:G

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E IT:C

MT47H128M16RT-25E IT:C

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

MT47H128M16RT-25E AIT:C TR

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CF-25E:G TR

MT47H128M4CF-25E:G TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CB-5E:B TR

MT47H128M4CB-5E:B TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CB-37E:B

MT47H128M4CB-37E:B

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M16RT-25E:C

MT47H128M16RT-25E:C

תאור: IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי
MT47H128M4CB-37E:B TR

MT47H128M4CB-37E:B TR

תאור: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

היצרנים: Micron Technology
במלאי

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת