5193001

LM358ADT

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי

$0.029

חקירה מקוון

מפרטים

מספר חלק

LM358ADT
יצרן / מותג

STMicroelectronics
כמות מלאי

במלאי
תאור
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

נטול עופרת / תואם RoHS
גיליונות נתונים

LM358ADT.pdf
מודל ECAD
מתח - הספקה, יחיד / כפול (±)

3 V ~ 30 V, ±1.5 V ~ 15 V
מתח - אופסט קיזוז

1mV
מארז התקן של הספק

8-SO
שער חליפין

0.6 V/µs
סִדרָה

-
אריזה

Cut Tape (CT)
אריזה / מארז

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
סוג פלט

-
שמות אחרים

497-1590-1
טמפרטורת פעולה

0°C ~ 70°C
מספר מעגלים

2
סוג השמה

Surface Mount
רמת רגישות לחות (MSL)

1 (Unlimited)
זמן אספקה רגיל של היצרן

38 Weeks
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

Lead free / RoHS Compliant
רווח רוחב פס המוצר

1.1MHz
תיאור מפורט

General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SO
זרם - אספקה

700µA
זרם - יציאה / ערוץ

60mA
זרם - הטיות קלט

20nA
מספר חלק בסיס

LM*58
סוג מגבר

General Purpose

חדשות קשורות
משלוח
תשלום

הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.

אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.

להלן מוצרים קשורים "LM358ADT".

LM358AD

תאור: IC OPAMP GP 1.1MHZ 8SO

היצרנים: STMicroelectronics

במלאי

LM358ADT

בקש ציטוט

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

STMicroelectronics Unveils Cutting-Edge Multi-Mode MEMS Sensor

STMicroelectronics Enters the Silicon Photonics Market with...

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

בחר שפה

השפה הנוכחית