STGWA8M120DF3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי

$2.964

10+

$2.888

30+

$2.837

90+

$2.788

חקירה מקוון

מפרטים

מספר חלק

STGWA8M120DF3
יצרן / מותג

STMicroelectronics
כמות מלאי

במלאי
תאור
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
גיליונות נתונים

STGWA8M120DF3.pdf
מודל ECAD
מתח - פריצת קולט-פולט (מקס ')

1200V
Vce (on) (מקס) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 8A
תנאי בדיקה

600V, 8A, 33 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C

20ns/126ns
החלפת אנרגיה

390µJ (on), 370µJ (Off)
מארז התקן של הספק

TO-247 Long Leads
סִדרָה

M
זמן שחזור לאחור (trr)

103ns
הספק - מקסימום

167W
אריזה / מארז

TO-247-3
טמפרטורת פעולה

-55°C ~ 175°C (TJ)
סוג השמה

Through Hole
זמן אספקה רגיל של היצרן

42 Weeks
סוג קלט

Standard
IGBT סוג

Trench Field Stop
תשלום השער

32nC
תיאור מפורט

IGBT Trench Field Stop 1200V 16A 167W Through Hole TO-247 Long Leads
זרם - אספן פעמי (Icm)

32A
זרם - אספן (Ic) (מקס ')

16A

חדשות קשורות
משלוח
תשלום

הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.

אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.

להלן מוצרים קשורים "STGWA8M120DF3".

STGWT20H65FB

תאור: IGBT 650V 40A 168W TO3P

היצרנים: STMicroelectronics

במלאי

STGWA8M120DF3

בקש ציטוט

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

STMicroelectronics Unveils Cutting-Edge Multi-Mode MEMS Sensor

STMicroelectronics Enters the Silicon Photonics Market with...

STMicroelectronics Unveils Next-Gen SiC MOSFETs for Enhance...

בחר שפה

השפה הנוכחית