בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SIS890DN-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
4563376תמונה SIS890DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS890DN-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1+
$1.175
10+
$0.967
30+
$0.853
100+
$0.722
500+
$0.665
1000+
$0.639
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SIS890DN-T1-GE3
  • יצרן / מותג
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SIS890DN-T1-GE3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    PowerPAK® 1212-8
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    23.5 mOhm @ 10A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    PowerPAK® 1212-8
  • שמות אחרים
    SIS890DN-T1-GE3TR
    SIS890DNT1GE3
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    802pF @ 50V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    29nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    4.5V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    100V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 100V 30A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    30A (Tc)

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

2025/04/25

ביקוש חזק לשבבים אנלוגיים, מכשיר...

2025/04/24

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

2025/04/24

מוסד: השבב המפותח בעצמו של אפל צפ...

2025/04/23

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

2025/04/23

מנכ"ל IBM מזהיר על סיכוני אספקת ...

2025/04/22

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

2025/04/22

מכניקת אלקטרו של סמסונג משדרגת ט...

2025/04/21

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

2025/04/21

2025 נחשול תעריף מוליכים למחצה גלו...

2025/04/18

SK Hynix מתכננת להשקיע השנה 20 טריליו...

2025/04/17
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SIS890DN-T1-GE3".
SIS822DNT-T1-GE3

SIS822DNT-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS776DN-T1-GE3

SIS776DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SISA01DN-T1-GE3

SISA01DN-T1-GE3

תאור: MOSFET P-CH 30V POWERPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SISA10DN-T1-GE3

SISA10DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS903DN-T1-GE3

SIS903DN-T1-GE3

תאור: MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS888DN-T1-GE3

SIS888DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS698DN-T1-GE3

SIS698DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS932EDN-T1-GE3

SIS932EDN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS780DN-T1-GE3

SIS780DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 18A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS782DN-T1-GE3

SIS782DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 60V 40A 1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS612EDNT-T1-GE3

SIS612EDNT-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 20V 50A SMT

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS778DN-T1-GE3

SIS778DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 35A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS902DN-T1-GE3

SIS902DN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS626DN-T1-GE3

SIS626DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS892DN-T1-GE3

SIS892DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SISA04DN-T1-GE3

SISA04DN-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 40A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SIS990DN-T1-GE3

SIS990DN-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.