70T651S12BFGI8

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי

1000+

$138.499

חקירה מקוון

מפרטים

מספר חלק

70T651S12BFGI8
יצרן / מותג

IDT (Renesas Electronics Corporation)
כמות מלאי

במלאי
תאור

IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

נטול עופרת / תואם RoHS
גיליונות נתונים

70T651S12BFGI8.pdf
מודל ECAD
כתוב זמן מחזור - Word, דף

12ns
אספקת מתח

2.4 V ~ 2.6 V
טֶכנוֹלוֹגִיָה

SRAM - Dual Port, Asynchronous
מארז התקן של הספק

208-CABGA (15x15)
סִדרָה

-
אריזה

Tape & Reel (TR)
אריזה / מארז

208-LFBGA
שמות אחרים

IDT70T651S12BFGI8
IDT70T651S12BFGI8-ND
טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 85°C (TA)
סוג השמה

Surface Mount
רמת רגישות לחות (MSL)

3 (168 Hours)
סוג זיכרון

Volatile
גודל זיכרון

9Mb (256K x 36)
ממשק זיכרון

Parallel
פורמט זיכרון

SRAM
זמן אספקה רגיל של היצרן

10 Weeks
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

Lead free / RoHS Compliant
תיאור מפורט

SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (256K x 36) Parallel 12ns 208-CABGA (15x15)
מספר חלק בסיס

IDT70T651
זמן גישה

12ns

חדשות קשורות
משלוח
תשלום

הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.

אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.

להלן מוצרים קשורים "70T651S12BFGI8".

70T651S12BFI8

תאור: IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)

במלאי

70T651S12BFGI8

בקש ציטוט

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

ביקוש חזק לשבבים אנלוגיים, מכשיר...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

מוסד: השבב המפותח בעצמו של אפל צפ...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

מנכ"ל IBM מזהיר על סיכוני אספקת ...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

מכניקת אלקטרו של סמסונג משדרגת ט...

STMicroelectronics Strengthens Technology Portfolio: From M...

בחר שפה

השפה הנוכחית