למבקרים באלקטרוניקה 2024

הזמינו את זמנכם עכשיו!

כל מה שנדרש זה כמה לחיצות כדי להזמין את מקומך ולקבל את כרטיס התא

אולם C5 BOOTH 220

רישום מראש

למבקרים באלקטרוניקה 2024
כולכם נרשמים! תודה שעשית פגישה!
אנו נשלח לך את כרטיסי Booth באמצעות דואר אלקטרוני לאחר שנאמת את ההזמנה שלך.
בית > מוצרים > מעגלים משולבים (IC) > זיכרון > 70V3319S133BC8
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
3850274תמונה 70V3319S133BC8.IDT (Integrated Device Technology)

70V3319S133BC8

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1000+
$96.869
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    70V3319S133BC8
  • יצרן / מותג
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    מכיל עופרת / RoHS שאינם תואמים
  • גיליונות נתונים
  • כתוב זמן מחזור - Word, דף
    -
  • אספקת מתח
    3.15 V ~ 3.45 V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    SRAM - Dual Port, Synchronous
  • מארז התקן של הספק
    256-CABGA (17x17)
  • סִדרָה
    -
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    256-LBGA
  • שמות אחרים
    IDT70V3319S133BC8
    IDT70V3319S133BC8-ND
  • טמפרטורת פעולה
    0°C ~ 70°C (TA)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    4 (72 Hours)
  • סוג זיכרון
    Volatile
  • גודל זיכרון
    4.5Mb (256K x 18)
  • ממשק זיכרון
    Parallel
  • פורמט זיכרון
    SRAM
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    10 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • תיאור מפורט
    SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 4.5Mb (256K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17)
  • תדר השעון
    133MHz
  • מספר חלק בסיס
    IDT70V3319
  • זמן גישה
    4.2ns
70V28L25PF8

70V28L25PF8

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BFI8

70V3319S133BFI8

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BFI

70V3319S133BFI

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28L20PFI8

70V28L20PFI8

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28L25PF

70V28L25PF

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28VL20PF8

70V28VL20PF8

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BCI8

70V3319S133BCI8

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BF8

70V3319S133BF8

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133PRF

70V3319S133PRF

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BC

70V3319S133BC

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28VL20PF

70V28VL20PF

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BF

70V3319S133BF

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28L20PFGI8

70V28L20PFGI8

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BCGI

70V3319S133BCGI

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28VL15PF

70V28VL15PF

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133PRF8

70V3319S133PRF8

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133PRFI

70V3319S133PRFI

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 128TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28VL15PF8

70V28VL15PF8

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V28L20PFI

70V28L20PFI

תאור: IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי
70V3319S133BCI

70V3319S133BCI

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 256CABGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)
במלאי

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת