71V35761SA200BGI

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

חקירה מקוון

מפרטים

מספר חלק

71V35761SA200BGI
יצרן / מותג

IDT (Renesas Electronics Corporation)
כמות מלאי

במלאי
תאור

IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

מכיל עופרת / RoHS שאינם תואמים
גיליונות נתונים

1.71V35761SA200BGI.pdf
2.71V35761SA200BGI.pdf
מודל ECAD
כתוב זמן מחזור - Word, דף

-
אספקת מתח

3.135 V ~ 3.465 V
טֶכנוֹלוֹגִיָה

SRAM - Synchronous
מארז התקן של הספק

119-PBGA (14x22)
סִדרָה

-
אריזה

Tray
אריזה / מארז

119-BGA
שמות אחרים

IDT71V35761SA200BGI
IDT71V35761SA200BGI-ND
טמפרטורת פעולה

-40°C ~ 85°C (TA)
סוג השמה

Surface Mount
רמת רגישות לחות (MSL)

3 (168 Hours)
סוג זיכרון

Volatile
גודל זיכרון

4.5Mb (128K x 36)
ממשק זיכרון

Parallel
פורמט זיכרון

SRAM
מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
תיאור מפורט

SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 119-PBGA (14x22)
תדר השעון

200MHz
מספר חלק בסיס

IDT71V35761
זמן גישה

3.1ns

חדשות קשורות
משלוח
תשלום

הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.

אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.

להלן מוצרים קשורים "71V35761SA200BGI".

71V35761SA200BGG

תאור: IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA

היצרנים: IDT (Integrated Device Technology)

במלאי

71V35761SA200BGI

בקש ציטוט

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

ביקוש חזק לשבבים אנלוגיים, מכשיר...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

מוסד: השבב המפותח בעצמו של אפל צפ...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

מנכ"ל IBM מזהיר על סיכוני אספקת ...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

בחר שפה

השפה הנוכחית