בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SI7898DP-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
5083591תמונה SI7898DP-T1-GE3.Vishay Semiconductors

SI7898DP-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1+
$0.636
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI7898DP-T1-GE3
  • יצרן / מותג
    Adafruit
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SI7898DP-T1-GE3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    PowerPAK® SO-8
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    85 mOhm @ 3.5A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    1.9W (Ta)
  • אריזה
    Cut Tape (CT)
  • אריזה / מארז
    PowerPAK® SO-8
  • שמות אחרים
    SI7898DP-T1-GE3CT
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    21nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    6V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    150V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 150V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)

דווח כי NVIDIA תשחרר גרסה משודרגת ש...

2025/05/9

דרום קוריאה מבקשת פטור מתעריפים ...

2025/05/8

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

2025/05/8

ייצור השבבים ההודי סובל מכסולים!...

2025/05/7

PCIM Europe 2025 Highlights

2025/05/7

עסק ה- OEM של סמסונג נפגע שוב, AMD מו...

2025/05/6

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

2025/05/5

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

2025/04/30

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

2025/04/29

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

2025/04/28

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

2025/04/28

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SI7898DP-T1-GE3".
SI7898DP-T1-E3

SI7898DP-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7888DP-T1-E3

SI7888DP-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7905DN-T1-GE3

SI7905DN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2P-CH 40V 6A PPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7901EDN-T1-E3

SI7901EDN-T1-E3

תאור: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7884BDP-T1-E3

SI7884BDP-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7900AEDN-T1-GE3

SI7900AEDN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7882DP-T1-GE3

SI7882DP-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7888DP-T1-GE3

SI7888DP-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7901EDN-T1-GE3

SI7901EDN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7904BDN-T1-GE3

SI7904BDN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7892BDP-T1-GE3

SI7892BDP-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7886ADP-T1-E3

SI7886ADP-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7884BDP-T1-GE3

SI7884BDP-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7886ADP-T1-GE3

SI7886ADP-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7904DN-T1-GE3

SI7904DN-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7900AEDN-T1-E3

SI7900AEDN-T1-E3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7904BDN-T1-E3

SI7904BDN-T1-E3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7904DN-T1-E3

SI7904DN-T1-E3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 5.3A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7892BDP-T1-E3

SI7892BDP-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI7905DN-T1-E3

SI7905DN-T1-E3

תאור: MOSFET 2P-CH 40V 6A 1212-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.