בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SI4196DY-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
355

SI4196DY-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
2500+
$0.308
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI4196DY-T1-GE3
  • יצרן / מותג
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±8V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    8-SO
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    27 mOhm @ 8A, 4.5V
  • פיזור הספק (מקס ')
    2W (Ta), 4.6W (Tc)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    15 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    830pF @ 10V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    22nC @ 8V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    1.8V, 4.5V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    20V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 20V 8A (Tc) 2W (Ta), 4.6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    8A (Tc)
SI4205-BM

SI4205-BM

תאור: IC RF TXRX CELLULAR 32-LFLGA

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4202DY-T1-GE3

SI4202DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4201-BM

SI4201-BM

תאור: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4205-EVB+F19

SI4205-EVB+F19

תאור: BOARD EVAL FOR SI4205

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4186DY-T1-GE3

SI4186DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4200DY-T1-GE3

SI4200DY-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4201-GM

SI4201-GM

תאור: IC RF TXRX CELLULAR 20-VFQFN

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4200-EVB

SI4200-EVB

תאור: BOARD EVAL FOR SI4200

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4196DY-T1-E3

SI4196DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 20V 8A 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4190DY-T1-GE3

SI4190DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4172DY-T1-GE3

SI4172DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4190ADY-T1-GE3

SI4190ADY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4200-BM

SI4200-BM

תאור: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4200-GM

SI4200-GM

תאור: IC RF TXRX CELLULAR 32-VFQFN

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
SI4176DY-T1-E3

SI4176DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4204DY-T1-GE3

SI4204DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4176DY-T1-GE3

SI4176DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4178DY-T1-E3

SI4178DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8SO

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
SI4178DY-T1-GE3

SI4178DY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת