בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > SI4884BDY-T1-E3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
3653989

SI4884BDY-T1-E3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
2500+
$0.664
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI4884BDY-T1-E3
  • יצרן / מותג
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SI4884BDY-T1-E3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    8-SO
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    9 mOhm @ 10A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • שמות אחרים
    SI4884BDY-T1-E3-ND
    SI4884BDY-T1-E3TR
    SI4884BDYT1E3
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    1525pF @ 15V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    35nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    4.5V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    30V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 30V 16.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    16.5A (Tc)

דרום קוריאה מבקשת פטור מתעריפים ...

2025/05/8

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

2025/05/8

ייצור השבבים ההודי סובל מכסולים!...

2025/05/7

PCIM Europe 2025 Highlights

2025/05/7

עסק ה- OEM של סמסונג נפגע שוב, AMD מו...

2025/05/6

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

2025/05/5

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

2025/04/30

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

2025/04/29

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

2025/04/28

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

2025/04/28

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

2025/04/25
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SI4884BDY-T1-E3".
SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4886DY-T1-GE3

SI4886DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4884BDY-T1-GE3

SI4884BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4888DY-T1-GE3

SI4888DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4886DY-T1-E3

SI4886DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4890BDY-T1-E3

SI4890BDY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4866BDY-T1-E3

SI4866BDY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4892DY-T1-E3

SI4892DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4890DY-T1-E3

SI4890DY-T1-E3

תאור: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI4890DY-T1-GE3

SI4890DY-T1-GE3

תאור: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.