בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - מערכים > SI5513DC-T1-E3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
5837387תמונה SI5513DC-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5513DC-T1-E3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI5513DC-T1-E3
  • יצרן / מותג
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SI5513DC-T1-E3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • מארז התקן של הספק
    1206-8 ChipFET™
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
  • הספק - מקסימום
    1.1W
  • אריזה
    Original-Reel®
  • אריזה / מארז
    8-SMD, Flat Lead
  • שמות אחרים
    SI5513DC-T1-E3DKR
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    -
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • סוג FET
    N and P-Channel
  • מאפיין FET
    Logic Level Gate
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    20V
  • תיאור מפורט
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.1A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    3.1A, 2.1A
  • מספר חלק בסיס
    SI5513

דרום קוריאה מבקשת פטור מתעריפים ...

2025/05/8

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

2025/05/8

ייצור השבבים ההודי סובל מכסולים!...

2025/05/7

PCIM Europe 2025 Highlights

2025/05/7

עסק ה- OEM של סמסונג נפגע שוב, AMD מו...

2025/05/6

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

2025/05/5

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

2025/04/30

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

2025/04/29

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

2025/04/28

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

2025/04/28

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

2025/04/25
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SI5513DC-T1-E3".
SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5504BDC-T1-E3

SI5504BDC-T1-E3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5504DC-T1-GE3

SI5504DC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5511DC-T1-GE3

SI5511DC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5511DC-T1-E3

SI5511DC-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5509DC-T1-E3

SI5509DC-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5504BDC-T1-GE3

SI5504BDC-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI570-PROG-EVB

SI570-PROG-EVB

תאור: KIT DEV SI570 I2C PROGR OSC

היצרנים: Energy Micro (Silicon Labs)
במלאי
RFQ
SI5517DU-T1-E3

SI5517DU-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5853CDC-T1-E3

SI5853CDC-T1-E3

תאור: MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5517DU-T1-GE3

SI5517DU-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5515CDC-T1-GE3

SI5515CDC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5515CDC-T1-E3

SI5515CDC-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5504DC-T1-E3

SI5504DC-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5515DC-T1-E3

SI5515DC-T1-E3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5513DC-T1-GE3

SI5513DC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5509DC-T1-GE3

SI5509DC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI5515DC-T1-GE3

SI5515DC-T1-GE3

תאור: MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.