בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - מערכים > SI9926CDY-T1-GE3
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
6613326

SI9926CDY-T1-GE3

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
1+
$0.72
10+
$0.575
30+
$0.504
100+
$0.432
500+
$0.389
1000+
$0.367
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    SI9926CDY-T1-GE3
  • יצרן / מותג
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
    SI9926CDY-T1-GE3.pdf
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • מארז התקן של הספק
    8-SO
  • סִדרָה
    TrenchFET®
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    18 mOhm @ 8.3A, 4.5V
  • הספק - מקסימום
    3.1W
  • אריזה
    Cut Tape (CT)
  • אריזה / מארז
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • שמות אחרים
    SI9926CDY-T1-GE3CT
  • טמפרטורת פעולה
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    27 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    1200pF @ 10V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    33nC @ 10V
  • סוג FET
    2 N-Channel (Dual)
  • מאפיין FET
    Logic Level Gate
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    20V
  • תיאור מפורט
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    8A
  • מספר חלק בסיס
    SI9926

דרום קוריאה מבקשת פטור מתעריפים ...

2025/05/8

SENSOR+TEST 2025 A Global Stage for Innovation in Sensor an...

2025/05/8

ייצור השבבים ההודי סובל מכסולים!...

2025/05/7

PCIM Europe 2025 Highlights

2025/05/7

עסק ה- OEM של סמסונג נפגע שוב, AMD מו...

2025/05/6

TI introduces latest innovations in edge AI, automotive and...

2025/05/5

חצי: משלוחי רקיק הסיליקון העולמי...

2025/04/30

חצי ： הכנסות שוק חומרי מוליכים ל...

2025/04/29

צפיפות הפגמים בתהליך 2NM של TSMC פוג...

2025/04/28

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

2025/04/28

נקודת נגד ： עד שנת 2024, המשלוח הגל...

2025/04/26

שבב 2NM של TSMC יופק המוני במחצית הש...

2025/04/25
הקמנו שותפויות ארוכות טווח עם ספקי לוגיסטיקה עולמיים גדולים, המציעים פתרונות משלוח גמישים ויעילים המותאמים לצרכים הייחודיים שלך.תלוי בגודל, במשקל ויעד ההזמנה שלך, אנו בוחרים את מנשא המשלוח המתאים ביותר.אנו מספקים גם שירותי מעקב לוגיסטיים בזמן אמת, ומאפשרים ללקוחות להבין את המיקום והמצב של הסחורה שלהם בכל עת. אם יש לך מסלולי משלוח בינלאומיים ספציפיים או משחרור הובלה ייעודי, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו-אנו שמחים להכיל את הדרישות שלך.
אנו תומכים בשיטות תשלום מרובות, כולל כרטיסי אשראי, העברות תיל ואפשרויות אחרות, ומקבלים את מרבית המטבעות.עבור הזמנות המוצבות ב- USD, קיימות אפשרויות תשלום נוספות.לפרטים נוספים על שיטות ונהלים של תשלום, אנא צור קשר עם צוות המכירות שלנו.
להלן מוצרים קשורים "SI9926CDY-T1-GE3".
SI9936BDY-T1-E3

SI9936BDY-T1-E3

תאור: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9926CDY-T1-E3

SI9926CDY-T1-E3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9913DY-T1-E3

SI9913DY-T1-E3

תאור: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9910DY-E3

SI9910DY-E3

תאור: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9945AEY-T1

SI9945AEY-T1

תאור: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9912DY-E3

SI9912DY-E3

תאור: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9936BDY-T1-GE3

SI9936BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9910DJ-E3

SI9910DJ-E3

תאור: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8DIP

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9926BDY-T1-GE3

SI9926BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9933BDY-T1-E3

SI9933BDY-T1-E3

תאור: MOSFET 2P-CH 20V 3.6A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9933CDY-T1-E3

SI9933CDY-T1-E3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9910DY-T1-E3

SI9910DY-T1-E3

תאור: IC MOSFET DVR ADAPTIVE PWR 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

תאור: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9731DQ-T1-E3

SI9731DQ-T1-E3

תאור: IC CONTROLLER LIION 4.1V 16TSSOP

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9912DY-T1-E3

SI9912DY-T1-E3

תאור: IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9934BDY-T1-E3

SI9934BDY-T1-E3

תאור: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8-SOIC

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

תאור:

היצרנים: Electro-Films (EFI) / Vishay
במלאי
RFQ
SI9936DY

SI9936DY

תאור: MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC

היצרנים: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
במלאי
RFQ
SI9936DY,518

SI9936DY,518

תאור: MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

היצרנים: NXP Semiconductors / Freescale
במלאי
RFQ
כמפיץ השוק הפתוח הציבורי היחיד, יש לנו שילוב ייחודי של גישה גלובלית, מומחיות בתעשיית הייצור ואיכות מוכחת.בכך אנו יכולים ליצור פתרונות שרשרת אספקה מותאמת אישית וקצה לקצה למקור רכיבי אלקטרוניקה וניהול מלאי.
לעקוב אחרינו
תנאים והגבלותמדיניות הפרהבקש ציטוטעלינוצור קשרחֲדָשׁוֹתמפת אתר

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת

השפה הנוכחית

בחר את המדינה או האזור שלך.