בית > מוצרים > מוצרי מוליכים למחצה בדידים > טרנזיסטורים - FETs, MOSFETs - יחיד > RS1E200BNTB
RFQs/הזמנה (0)
עִבְרִית
עִבְרִית
3945708תמונה RS1E200BNTB.LAPIS Semiconductor

RS1E200BNTB

בקש ציטוט

אנא מלא את כל השדות הנדרשים עם פרטי הקשר שלך. לחץ על "הגש RFQ" אנו ניצור איתך קשר בקרוב באמצעות הדוא"ל.או שלח לנו דוא"ל:info@ftcelectronics.com

מחיר הפניה (בדולר ארה"ב)

במלאי
2500+
$0.217
חקירה מקוון
מפרטים
  • מספר חלק
    RS1E200BNTB
  • יצרן / מותג
  • כמות מלאי
    במלאי
  • תאור
    MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    נטול עופרת / תואם RoHS
  • גיליונות נתונים
  • מודל ECAD
  • Vgs (th) (מקס) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (מקס ')
    ±20V
  • טֶכנוֹלוֹגִיָה
    MOSFET (Metal Oxide)
  • מארז התקן של הספק
    8-HSOP
  • סִדרָה
    -
  • RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs
    3.9 mOhm @ 20A, 10V
  • פיזור הספק (מקס ')
    3W (Ta), 25W (Tc)
  • אריזה
    Tape & Reel (TR)
  • אריזה / מארז
    8-PowerTDFN
  • שמות אחרים
    RS1E200BNTBTR
  • טמפרטורת פעולה
    150°C (TJ)
  • סוג השמה
    Surface Mount
  • רמת רגישות לחות (MSL)
    1 (Unlimited)
  • זמן אספקה ​​רגיל של היצרן
    40 Weeks
  • מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS
    3100pF @ 15V
  • שער שער (QG) (מקס) @ Vgs
    59nC @ 10V
  • סוג FET
    N-Channel
  • מאפיין FET
    -
  • כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב)
    4.5V, 10V
  • מתח אל מקור מתח (Vdss)
    30V
  • תיאור מפורט
    N-Channel 30V 20A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
  • זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C
    20A (Ta)
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

תאור:

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

תאור: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

תאור: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

תאור: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1DLW RVG

RS1DLW RVG

תאור: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

תאור: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

תאור: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1G

RS1G

תאור:

היצרנים: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
במלאי
RS1DTR

RS1DTR

תאור: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

היצרנים: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
במלאי
RS1G M2G

RS1G M2G

תאור: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

היצרנים: TSC (Taiwan Semiconductor)
במלאי
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

תאור: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

היצרנים: LAPIS Semiconductor
במלאי

בחר שפה

לחץ על החלל כדי לצאת